- Brand : Lenovo
- Product family : ThinkServer
- Product series : TS
- Product name : TS100
- Product code : 643413M
- Category : เครื่องแม่ข่าย
- Data-sheet quality : created/standardized by Icecat
- Product views : 42010
- Info modified on : 19 Jul 2024 20:11:49
-
Short summary description Lenovo ThinkServer TS100 เครื่องแม่ข่าย Tower Intel® Xeon® E3110 3 GHz 2 GB DDR2-SDRAM 400 W
:
Lenovo ThinkServer TS100, 3 GHz, E3110, 2 GB, DDR2-SDRAM, 400 W, Tower
-
Long summary description Lenovo ThinkServer TS100 เครื่องแม่ข่าย Tower Intel® Xeon® E3110 3 GHz 2 GB DDR2-SDRAM 400 W
:
Lenovo ThinkServer TS100. ตระกูลของหน่วยประมวลผล: Intel® Xeon®, ความถี่ของหน่วยประมวลผล: 3 GHz, รุ่นของหน่วยประมวลผล: E3110. หน่วยความจำภายใน: 2 GB, ประเภทหน่วยความจำภายใน: DDR2-SDRAM, ผังหน่วยความจำ (ช่องใส่ x ขนาด): 2 x 1 GB. ขนาดของฮาร์ดไดรฟ์: 3.5 นิ้ว, การเชื่อมต่อฮาร์ดไดรฟ์: อนุกรม ATA II. แหล่งจ่ายไฟ: 400 W. ประเภทแชสซี: Tower
Embed the product datasheet into your content
หน่วยประมวลผล | |
---|---|
ผู้ผลิตหน่วยประมวลผล | Intel |
ตระกูลของหน่วยประมวลผล | Intel® Xeon® |
รุ่นของหน่วยประมวลผล | E3110 |
ความถี่ของหน่วยประมวลผล | 3 GHz |
แกนหน่วยประมวลผล | 2 |
แคชของหน่วยประมวลผล | 6 MB |
เมนบอร์ดชิปเซ็ต | Intel® 3210 |
จำนวนหน่วยประมวลผลที่ติดตั้งไว้แล้ว | 1 |
การเกิดความร้อนมากที่สุดของ CPU ในเวลาใดเวลาหนึ่ง | 65 W |
ชนิดของหน่วยความจำแคชของหน่วยประมวลผล | L2 |
ฟรอนต์ไซด์บัส (ไซด์บัส) ของหน่วยประมวลผล | 1333 MHz |
ซ็อกเก็ตของหน่วยประมวลผล | LGA 775 (Socket T) |
ลิโทกราฟีของหน่วยประมวลผล | 45 nm |
กลุ่มชุดคำสั่งของหน่วยประมวลผล | 2 |
โหมดการทำงานของหน่วยประมวลผล | 64 บิท |
อุปกรณ์ Stepping | C0 |
FSB พาริตี้ | |
ชนิดของบัส | FSB |
ชื่อรหัสของตัวประเมินผล | Wolfdale |
Tcase | 72.4 °C |
ECC ที่หน่วยประมวลผลรองรับ | |
การจัดการกับบิตที่ใช้งานไม่ได้ | |
สถานะไม่ได้ใช้งาน | |
เทคโนโลยีการตรวจจับความร้อน | |
ขนาดแพ็คเกจของตัวประมวลผล | 37.5 x 37.5 มม. |
รหัสหน่วยประมวลผล | SLAPM |
เลือกเป็นแบบฝังตัว (embedded) ได้ | |
จำนวนของทรานซิสเตอร์แบบ Processing Die | 410 M |
ตัวคูณซีพียู (อัตราส่วนบัสต่อคอร์) | 9 |
ขนาดของ Processing Die | 107 ตร.มม. |
ชนิดของระบบประมวลผล | เพิ่มขึ้น |
แรงดันไฟฟ้าหลักของหน่วยประมวลผล (ไฟ AC) | 1.225 - 0.956 V |
ตระกูลของตัวประมวลผล | Intel Xeon 3100 Series |
หน่วยประมวลผลแบบไม่มีการขัดแย้ง |
หน่วยความจำ | |
---|---|
หน่วยความจำภายใน | 2 GB |
ประเภทหน่วยความจำภายใน | DDR2-SDRAM |
ช่องสำหรับติดตั้งหน่วยความจำ | 4 |
ECC | |
ความเร็วในการส่งข้อมูล | 800 MHz |
ผังหน่วยความจำ (ช่องใส่ x ขนาด) | 2 x 1 GB |
หน่วยความจำภายในสูงสุด | 8 GB |
หน่วยจัดเก็บข้อมูล | |
---|---|
การเชื่อมต่อฮาร์ดไดรฟ์ | อนุกรม ATA II |
ขนาดของฮาร์ดไดรฟ์ | 3.5 นิ้ว |
หน่วยจัดเก็บข้อมูล | |
---|---|
ระดับ RAID | 10 |
hot-swap |
ระบบเครือข่าย | |
---|---|
พร้อมเครือข่าย | |
เครือข่ายคุณสมบัติ | Dual Broadcom 5722 Gigabit 10/100/1000 Ethernet |
การออกแบบ | |
---|---|
ประเภทแชสซี | Tower |
คุณสมบัติพิเศษของหน่วยประมวลผล | |
---|---|
เทคโนโลยี Intel® Rapid Storage | |
เทคโนโลยี Enhanced Intel SpeedStep | |
เทคโนโลยีการแสดงผลแบบไร้สายของ Intel | |
เทคโนโลยี Intel® Virtualization สำหรับ I/O ทางตรง (VT-d) | |
เทคโนโลยีการป้องกันขโมยของ Intel® (Intel® AT) | |
เทคโนโลยี Hyper Threading ของ Intel® (Intel® HT Technology) | |
เทคโนโลยีเชื่อมต่อสัญญานไร้สาย Intel® My WiFi (Intel® MWT) | |
เทคโนโลยีบูสต์แบบรวดเร็ว Intel® Turbo Boost | |
อินเทลควิกซิงค์วิดีโอ (Intel® Quick Sync Video) | |
เทคโนโลยีสามมิติของ InTru™ | |
เทคโนโลยี Intel® Clear Video HD (Intel® CVT HD) | |
ตัวภายในของ Intel® (Intel® Insider™) | |
การเข้าถึงหน่วยความจำ Intel® Flex | |
วิธีการเข้ารหัสแบบกลุ่มของ Intel® (Intel® AES-NI) | |
เทคโนโลยี Intel® Trusted Execution | |
Intel® Enhanced Halt State | |
เทคโนโลยี VT-x พร้อม Extended Page Tables (EPT) | |
Intel® Demand Based Switching | |
เทคโนโลยีเคลียร์วีดีโอของอินเทล | |
เทคโนโลยี Intel® Clear Video สำหรับ MID (Intel® CVT for MID) | |
Intel® 64 | |
เทคโนโลยี Intel® Virtualization (VT-x) | |
เทคโนโลยี Intel® Dual Display Capable | |
เทคโนโลยี Intel® FDI | |
การเข้าถึงหน่วยความจำอย่างรวดเร็วของ Intel® | |
หน่วยประมวลผล ARK ID | 34694 |
กำลังไฟ | |
---|---|
แหล่งจ่ายไฟสำรอง | |
แหล่งจ่ายไฟ | 400 W |